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■■■■　設計メモ（部品詳細表）　■■■■

• 【バイポーラ・トランジスタ】
• 【MOSFET】
• 【ダイオード】
• 【ロジックIC】
• 【オペアンプ】
• 【電源IC】
• 【】

【バイポーラ・トランジスタ】

　Ta：周囲温度，Tc：ケース温度（無限大放熱器付き周囲温度），（）内の数値は図からの読み取り値

区分	項目	条件	min	typ	max	単位
旧ＮＥＣ PNP汎用品：2SA733 (TO-92 廃品種)／ 2SA812A (SC-59)／ 2SA1611 (SC-70)／ 2SA1836 (SC-75)
絶 対 最 大 定 格	コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO	Ta=25℃			-50	V
	エミッタ・ベース間電圧 VEBO	Ta=25℃			-5	V
	コレクタ電流 Ic	Ta=25℃, 直流			-100	mA
	全損失 PT	Ta=25℃　(2SA733/812A/1611/1836) 2SA1836のみ3cm2のセラ基板実装時			0.25／ 0.20／ 0.15／ 0.2	W
	接合部温度 Tj	2SA733／その他			125／ 150	℃
諸 特 性	エミッタ遮断電流 IEBO	Ta=25℃, VEB=-5V, Ic=0			-0.1	μA
	直流電流増幅率 hFE	Ta=25℃, VCE=-6V, Ic=-1mA, R・M4ランク品	90		180	倍
		Ta=25℃, VCE=-6V, Ic=-1mA, Q・M5ランク品	135		270
		Ta=25℃, VCE=-6V, Ic=-1mA, P・M6ランク品	200		400
		Ta=25℃, VCE=-1V, Ic=-70mA		(110)
	コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)	Ta=25℃, Ic=-100mA, IB=-10mA		-0.18	-0.3	V
		Ta=25℃, Ic=-70mA, IB=-2mA		(-0.32)
	トラジション周波数 fT	Ta=25℃, VCE=-6V, IE=10mA		180		MHz
	コレクタ出力容量 Cob	Ta=25℃, VCB=-10V (2SA1836のみ-6V), IE=0, f=1MHz		4.5	6	pF
	雑音指数 NF	Ta=25℃, VCE=-5V, Ic=-0.1mA, RG=10kΩ, f=1kHz		(0.6)		dB
東芝PNP汎用品：2SA1015 (TO-92 廃品種)／2SA1162 (SC-59)／2SA1586 (SC-70)／2SA1832 (SC-75)
絶 対 最 大 定 格	コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO	Ta=25℃			-50	V
	エミッタ・ベース間電圧 VEBO	Ta=25℃			-5	V
	コレクタ電流 Ic	Ta=25℃, 直流			-150	mA
	コレクタ損失 Pc	Ta=25℃　(2SA1015/1162/1586/1832)			0.4／ 0.15／ 0.1／ 0.1	W
	接合部温度 Tj				125	℃
諸 特 性	エミッタ遮断電流 IEBO	Ta=25℃, VEB=-5V, Ic=0			-0.1	μA
	直流電流増幅率 hFE	Ta=25℃, VCE=-6V, Ic=-2mA, Oランク品	70		140	倍
		Ta=25℃, VCE=-6V, Ic=-2mA, Yランク品	120		240
		Ta=25℃, VCE=-6V, Ic=-2mA, GRランク品	200		400
		Ta=25℃, VCE=-6V, Ic=-120mA (2SA1015のみ)	25	80
	コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)	Ta=25℃, Ic=-100mA, IB=-10mA		-0.1	-0.3	V
		Ta=25℃, Ic=-100mA, IB=-2mA		(-0.25)
	トラジション周波数 fT	Ta=25℃, VCE=-10V, Ic=-1mA	80	(120)		MHz
	コレクタ出力容量 Cob	Ta=25℃, VCB=-10V, IE=0, f=1MHz		4	7	pF
	ベース拡がり抵抗 rbb'	Ta=25℃, VCE=-10V, IE=1mA, f=30MHz		30		Ω
	雑音指数 NF	Ta=25℃, VCE=-6V, Ic=-0.1mA, RG=10kΩ, f=1kHz		1.0	10	dB
旧ＮＥＣ NPN汎用：2SC945A (TO-92 廃品種)／ 2SC1623A (SC-59)／ 2SC4177 (SC-70)／ 2SC4783 (SC-75)
絶 対 最 大 定 格	コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO	Ta=25℃			50	V
	エミッタ・ベース間電圧 VEBO	Ta=25℃			5	V
	コレクタ電流 Ic	Ta=25℃, 直流			100	mA
	全損失 PT	Ta=25℃　(2SC945A/1623A/4177/4783) 2SC4783のみ3cm2のセラ基板実装時			0.25／ 0.20／ 0.15／ 0.2	W
	接合部温度 Tj				150	℃
諸 特 性	エミッタ遮断電流 IEBO	Ta=25℃, VEB=-5V, Ic=0			0.1	μA
	直流電流増幅率 hFE	Ta=25℃, VCE=6V, Ic=1mA, R・Ｌ4ランク品	90		180	倍
		Ta=25℃, VCE=6V, Ic=1mA, Q・Ｌ5ランク品	135		270
		Ta=25℃, VCE=6V, Ic=1mA, P・Ｌ6ランク品	200		400
		Ta=25℃, VCE=1V, Ic=70mA		(110)
	コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)	Ta=25℃, Ic=100mA, IB=10mA		0.15	0.3	V
		Ta=25℃, Ic=70mA, IB=1mA		(0.45)
	トラジション周波数 fT	Ta=25℃, VCE=6V, IE=-10mA		250		MHz
	コレクタ出力容量 Cob	Ta=25℃, VCB=6V, IE=0, f=1MHz		3.0		pF
東芝NPN汎用品：2SC1815 (TO-92 廃品種)／ 2SC2712 (SC-59)／ 2SC4116 (SC-70)／ 2SC4738 (SC-75)
絶 対 最 大 定 格	コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO	Ta=25℃			50	V
	エミッタ・ベース間電圧 VEBO	Ta=25℃			5	V
	コレクタ電流 Ic	Ta=25℃, 直流			150	mA
	コレクタ損失 Pc	Ta=25℃ (2SC1815/2712/4116/4738)			0.4／ 0.15／ 0.1／ 0.1	W
	接合部温度 Tj				125	℃
諸 特 性	エミッタ遮断電流 IEBO	Ta=25℃, VEB=5V, Ic=0			0.1	μA
	直流電流増幅率 hFE	Ta=25℃, VCE=6V, Ic=2mA, Oランク品	70		140	倍
		Ta=25℃, VCE=6V, Ic=2mA, Yランク品	120		240
		Ta=25℃, VCE=6V, Ic=2mA, GRランク品	200		400
		Ta=25℃, VCE=6V, Ic=150mA (2SC1815のみ)	25	100
	コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)	Ta=25℃, Ic=100mA, IB=10mA		0.1	0.25	V
		Ta=25℃, Ic=100mA, IB=2mA		(0.6)
	トラジション周波数 fT	Ta=25℃, VCE=10V, Ic=1mA	80	(130)		MHz
	コレクタ出力容量 Cob	Ta=25℃, VCB=10V, IE=0, f=1MHz		2.0	3.5	pF
	ベース拡がり抵抗 rbb'	Ta=25℃, VCE=10V, IE=-1mA, f=30MHz		50		Ω
	雑音指数 NF	Ta=25℃, VCE=6V, Ic=0.1mA, RG=10kΩ, f=1kHz		1	10	dB
旧ＮＥＣ　PNPセミパワー：2SA952 (TO-92 廃品種)／ 2SB624A (SC-59)
絶 対 最 大 定 格	コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO	Ta=25℃			-25	V
	エミッタ・ベース間電圧 VEBO	Ta=25℃			-5	V
	コレクタ電流 Ic	Ta=25℃, 直流			-0.7	A
	全損失 PT	Ta=25℃ (2SA952/2SB624A)			0.6／ 0.2	W
	接合部温度 Tj				150	℃
諸 特 性	エミッタ遮断電流 IEBO	Ta=25℃, VEB=-5V, Ic=0			-0.1	μA
	直流電流増幅率 hFE	Ta=25℃, VCE=-1V, Ic=-100mA, 2SA952 ランク M:90〜180, L:135〜270, K:200〜400	90	200	400	倍
		Ta=25℃, VCE=-1V, Ic=-100mA, 2SB624A ランク BV1:110〜180, 135〜220, 170〜270, など	110	200	400
		Ta=25℃, VCE=-1V, Ic=-700mA (*印：2SA952のみ)	50	100*
	コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)	Ta=25℃, Ic=-700mA, IB=-70mA		-0.25	-0.6	V
		Ta=25℃, Ic=-500mA, IB=-8mA		(-0.3)
	トラジション周波数 fT	Ta=25℃, VCE=-6V, IE=10mA (*印：2SA952のみ)	50*	160		MHz
	コレクタ出力容量 Cob	Ta=25℃, VCB=-6V, IE=0, f=1MHz (*印：2SA952のみ)		17	40*	pF
東芝PNPセミパワー：2SA950 (TO-92 廃品種)／ 2SA1204 (SC-62)／ 2SA1621 (SC-59)
絶 対 最 大 定 格	コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO	Ta=25℃			-30	V
	エミッタ・ベース間電圧 VEBO	Ta=25℃			-5	V
	コレクタ電流 Ic	Ta=25℃, 直流			-0.8	A
	コレクタ損失 Pc	Ta=25℃ (2SA950/1204/1621)			0.6／ 0.5／ 0.2	W
		Tc=25℃ (2SA950のみ)			1.3	W
	接合部温度 Tj				150	℃
諸 特 性	エミッタ遮断電流 IEBO	Ta=25℃, VEB=-5V, Ic=0			-0.1	μA
	直流電流増幅率 hFE	Ta=25℃, VCE=-1V, Ic=-100mA, Oランク品	100		200	倍
		Ta=25℃, VCE=-1V, Ic=-100mA, Yランク品	160		320
		Ta=25℃, VCE=-1V, Ic=-700mA	35
	コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)	Ta=25℃, Ic=-500mA, IB=-20mA		(-0.18)	-0.7	V
		Ta=25℃, Ic=-500mA, IB=-8mA		(-0.4)
	トラジション周波数 fT	Ta=25℃, VCE=-5V, Ic=-10mA		120		MHz
	コレクタ出力容量 Cob	Ta=25℃, VCB=-10V, IE=0, f=1MHz		19		pF
東芝PNPセミパワー：2SA1020 (TO-92ロング) サトー電気で10個210円(2011/4/17時点)
絶 対 最 大 定 格	コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO	Ta=25℃			-50	V
	エミッタ・ベース間電圧 VEBO	Ta=25℃			-5	V
	コレクタ電流 Ic	Ta=25℃, 直流			-2	A
	コレクタ損失 Pc	Ta=25℃			0.9	W
	接合部温度 Tj				150	℃
諸 特 性	エミッタ遮断電流 IEBO	Ta=25℃, VEB=-5V, Ic=0			-1	μA
	直流電流増幅率 hFE	Ta=25℃, VCE=-2V, Ic=-0.5A, Oランク品	70		140	倍
		Ta=25℃, VCE=-2V, Ic=-0.5A, Yランク品	120		240
		Ta=25℃, VCE=-2V, Ic=-1.5A	40
	コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)	Ta=25℃, Ic=-1A, IB=-50mA		(-0.25)	-0.5	V
		Ta=25℃, Ic=-1A, IB=-20mA		(-0.47)
	トラジション周波数 fT	Ta=25℃, VCE=-2V, Ic=-0.5A		100		MHz
	コレクタ出力容量 Cob	Ta=25℃, VCB=-10V, IE=0, f=1MHz		40		pF
旧ＮＥＣ　NPNセミパワー：2SC2001 (TO-92 廃品種)／ 2SD596A (SC-59)
絶 対 最 大 定 格	コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO	Ta=25℃			25	V
	エミッタ・ベース間電圧 VEBO	Ta=25℃			5	V
	コレクタ電流 Ic	Ta=25℃, 直流			0.7	A
	コレクタ損失 Pc	Ta=25℃ (2SC2001/2SD596A)			0.6／ 0.2	W
	接合部温度 Tj				150	℃
諸 特 性	エミッタ遮断電流 IEBO	Ta=25℃, VEB=5V, Ic=0			0.1	μA
	直流電流増幅率 hFE	Ta=25℃, VCE=1V, Ic=100mA, 2SC2001 ランク M:90〜180, L:135〜270, K:200〜400	90	200	400	倍
		Ta=25℃, VCE=1V, Ic=100mA, 2SD596A ランク DV1:110〜180, 135〜220, 170〜270, など	110	200	400
		Ta=25℃, VCE=1V, Ic=700mA (*印：2SC2001のみ)	50	140*
	コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)	Ta=25℃, Ic=700mA, IB=70mA		0.2	0.6	V
		Ta=25℃, Ic=500mA, IB=8mA		(0.2)
	トラジション周波数 fT	Ta=25℃, VCE=6V, IE=-10mA (*印：2SC2001のみ)	50	170*		MHz
	コレクタ出力容量 Cob	Ta=25℃, VCB=6V, IE=0, f=1MHz		13		pF
東芝NPNセミパワー：2SC2120 (TO-92 廃品種))／ 2SC2884 (SC-62)／ 2SC4210 (SC-59 廃品種)
絶 対 最 大 定 格	コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO	Ta=25℃			30	V
	エミッタ・ベース間電圧 VEBO	Ta=25℃			5	V
	コレクタ電流 Ic	Ta=25℃, 直流			0.8	A
	コレクタ損失 Pc	Ta=25℃ (2SC2120/2884/4210)			0.6／ 0.5／ 0.2	W
		Tc=25℃ (2SC2120のみ)			1.3	W
	接合部温度 Tj				150	℃
諸 特 性	エミッタ遮断電流 IEBO	Ta=25℃, VEB=5V, Ic=0			0.1	μA
	直流電流増幅率 hFE	Ta=25℃, VCE=1V, Ic=100mA, Oランク品	100		200	倍
		Ta=25℃, VCE=1V, Ic=100mA, Yランク品	160		320
		Ta=25℃, VCE=1V, Ic=700mA	35
	コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)	Ta=25℃, Ic=500mA, IB=20mA		(0.15)	0.5	V
		Ta=25℃, Ic=500mA, IB=8mA		(0.3)
	トラジション周波数 fT	Ta=25℃, VCE=5V, Ic=10mA		120		MHz
	コレクタ出力容量 Cob	Ta=25℃, VCB=10V, IE=0, f=1MHz		13		pF
東芝NPNセミパワー：2SC2655 (TO-92ロング)
絶 対 最 大 定 格	コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO	Ta=25℃			50	V
	エミッタ・ベース間電圧 VEBO	Ta=25℃			5	V
	コレクタ電流 Ic	Ta=25℃, 直流			2	A
	コレクタ損失 Pc	Ta=25℃			0.9	W
	接合部温度 Tj				150	℃
諸 特 性	エミッタ遮断電流 IEBO	Ta=25℃, VEB=5V, Ic=0			1	μA
	直流電流増幅率 hFE	Ta=25℃, VCE=2V, Ic=0.5A, Oランク品	70		140	倍
		Ta=25℃, VCE=2V, Ic=0.5A, Yランク品	120		240
		Ta=25℃, VCE=2V, Ic=1.5A	40
	コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)	Ta=25℃, Ic=1A, IB=50mA		(0.11)	0.5	V
		Ta=25℃, Ic=1A, IB=20mA		(0.16)
	トラジション周波数 fT	Ta=25℃, VCE=2V, Ic=0.5A		100		MHz
	コレクタ出力容量 Cob	Ta=25℃, VCB=10V, IE=0, f=1MHz		30		pF
東芝PNPパワー：2SB1375 (TO-220絶縁)
絶 対 最 大 定 格	コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO	Ta=25℃			-60	V
	エミッタ・ベース間電圧 VEBO	Ta=25℃			-7	V
	コレクタ電流 Ic	Ta=25℃, 直流			-3	A
	コレクタ損失 Pc	Ta=25℃			2	W
		Tc=25℃			25
	接合部温度 Tj				150	℃
諸 特 性	エミッタ遮断電流 IEBO	Ta=25℃, VEB=-5V, Ic=0			-10	μA
	直流電流増幅率 hFE	Ta=25℃, VCE=-5V, Ic=-0.5A	100		320	倍
		Ta=25℃, VCE=-5V, Ic=-2A	15
	コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)	Ta=25℃, Ic=-2A, IB=-0.2A		-1.0	-1.5	V
		Ta=25℃, Ic=-1.5A, IB=-50mA		(-0.7)
	トラジション周波数 fT	Ta=25℃, VCE=-5V, Ic=-0.5A		9		MHz
	コレクタ出力容量 Cob	Ta=25℃, VCB=-10V, IE=0, f=1MHz		50		pF
東芝NPNパワー：2SD2012 (TO-220絶縁）
絶 対 最 大 定 格	コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO	Ta=25℃			60	V
	エミッタ・ベース間電圧 VEBO	Ta=25℃			7	V
	コレクタ電流 Ic	Ta=25℃, 直流			3	A
	コレクタ損失 Pc	Ta=25℃			2	W
		Tc=25℃			25	W
	接合部温度 Tj				150	℃
諸 特 性	エミッタ遮断電流 IEBO	Ta=25℃, VEB=7V, Ic=0			100	μA
	直流電流増幅率 hFE	Ta=25℃, VCE=5V, Ic=0.5A	100		320	倍
		Ta=25℃, VCE=5V, Ic=2A	20
	コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)	Ta=25℃, Ic=2A, IB=0.2A		0.4	1.0	V
		Ta=25℃, Ic=2A, IB=60mA		(1.0)
	トラジション周波数 fT	Ta=25℃, VCE=5V, Ic=0.5A		3		MHz
	コレクタ出力容量 Cob	Ta=25℃, VCB=10V, IE=0, f=1MHz		35		pF
東芝NPNパワー(高β品)：2SD2352 (TO-220絶縁）
絶 対 最 大 定 格	コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO	Ta=25℃			60	V
	エミッタ・ベース間電圧 VEBO	Ta=25℃			7	V
	コレクタ電流 Ic	Ta=25℃, 直流			2	A
	コレクタ損失 Pc	Ta=25℃			2	W
		Tc=25℃			25	W
	接合部温度 Tj				150	℃
諸 特 性	エミッタ遮断電流 IEBO	Ta=25℃, VEB=7V, Ic=0			100	μA
	直流電流増幅率 hFE	Ta=25℃, VCE=5V, Ic=0.1A	800		3200	倍
		Ta=25℃, VCE=5V, Ic=1A	350
	コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)	Ta=25℃, Ic=0.5A, IB=5mA		0.3	1.0	V
		Ta=25℃, Ic=1A, IB=10mA		(0.65)
	トラジション周波数 fT	Ta=25℃, VCE=5V, Ic=0.5A		17		MHz
	コレクタ出力容量 Cob	Ta=25℃, VCB=10V, IE=0, f=1MHz		30		pF

　

【MOSFET】

()内は図表読み取り値

区分	項目	条件	min	typ	max	単位
Pch小信号：2SJ460 (SST 廃品種)／ 2SJ461A (SC-59)
絶 対 最 大 定 格	ドレイン・ソース間電圧 VDSS	Ta=25℃			-50	V
	ドレイン・ゲート間電圧 VGSS	Ta=25℃			±7	V
	ドレイン電流 ID	Ta=25℃, 直流			±0.1	A
	全損失PT	Ta=25℃ (2SJ460/461A)			0.25／ 0.2	W
	接合部温度 Tj				150	℃
諸 特 性	ドレイン遮断電流 IDSS	VDS=-50V, VGS=0V			-1	μA
	ゲート・カットオフ電圧 VGS(off)	VDS=-3V, ID=-1μA	-0.7	-0.9	-1.3	V
	ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON)	VGS=-2.5V, ID=-3mA		46	100	Ω
		VGS=-4V, ID=-10mA		31	50
	入力容量 Ciss	VDS=-3V, f=1MHz		6		pF
	ターン・オン時間 ton	VGS=-3V, ID=-20mA		32		ns
	ターン・オフ時間 ton	VGS=-3V, ID=-20mA		45		ns
Pchセミパワー：2SJ537 (TO-92ロング)
絶 対 最 大 定 格	ドレイン・ソース間電圧 VDSS	Ta=25℃			-50	V
	ドレイン・ゲート間電圧 VGSS	Ta=25℃			±20	V
	ドレイン電流 ID	Ta=25℃, 直流			-5	A
	許容損失PD	Ta=25℃			0.9	W
	接合部温度 Tj				150	℃
諸 特 性	ドレイン遮断電流 IDSS	VDS=-50V, VGS=0V			-100	μA
	ゲート閾値電圧 Vth	VDS=-10V, ID=-1mA	-0.8		-2.0	V
	ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON)	VGS=-4V, ID=-1.3A		0.27	0.34	Ω
		VGS=-10V, ID=-2.5A		0.16	0.19
	入力容量 Ciss	VDS=-10V, f=1MHz		470		pF
	トータル・ゲート入力電荷量 Qig	VGS=-10V, ID=-5A		18		nC
	ターン・オン時間 ton	VGS=-10V, ID=-2.5A		35		ns
	ターン・オフ時間 ton	VGS=-10V, ID=-2.5A		120		ns
Pchパワー：2SJ438 (TO-220絶縁)
絶 対 最 大 定 格	ドレイン・ソース間電圧 VDSS	Ta=25℃			-60	V
	ドレイン・ゲート間電圧 VGSS	Ta=25℃			±20	V
	ドレイン電流 ID	Ta=25℃, 直流			-5	A
	許容損失PD	Ta=25℃			2	W
		Tc=25℃			25
	接合部温度 Tj				150	℃
諸 特 性	ドレイン遮断電流 IDSS	VDS=-60V, VGS=0V			-100	μA
	ゲート閾値電圧 Vth	VDS=-10V, ID=-1mA	-0.8		-2.0	V
	ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON)	VGS=-4V, ID=-2.5A		0.24	0.28	Ω
		VGS=-10V, ID=-2.5A		0.16	0.19
	入力容量 Ciss	VDS=-10V, f=1MHz		630		pF
	トータル・ゲート入力電荷量 Qig	VGS=-10V, ID=-5A		22		nC
	ターン・オン時間 ton	VGS=-10V, ID=-2.5A		45		ns
	ターン・オフ時間 ton	VGS=-10V, ID=-2.5A		200		ns
Nch小信号：2SK2541 (SST 廃品種)／ 2SK2158A (SC-59)
絶 対 最 大 定 格	ドレイン・ソース間電圧 VDSS	Ta=25℃			50	V
	ドレイン・ゲート間電圧 VGSS	Ta=25℃			±7	V
	ドレイン電流 ID	Ta=25℃, 直流			±0.1	A
	全損失PT	Ta=25℃ (2SK2541/2158A)			0.25／ 0.2	W
	接合部温度 Tj				150	℃
諸 特 性	ドレイン遮断電流 IDSS	VDS=50V, VGS=0V			1	μA
	ゲート・カットオフ電圧 VGS(off)	VDS=3V, ID=1μA	0.5	0.7	1.1	V
	ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON)	VGS=1.5V, ID=1mA		32	50	Ω
		VGS=2.5V, ID=10mA		16	20
		VGS=4V, ID=10mA		12	15
	入力容量 Ciss	VDS=3V, f=1MHz		6		pF
	ターン・オン時間 ton	VGS=3V, ID=20mA		9		ns
	ターン・オフ時間 ton	VGS=3V, ID=20mA		21		ns
Nch小信号：2SK1590 (SC-59)
絶 対 最 大 定 格	ドレイン・ソース間電圧 VDSS	Ta=25℃			60	V
	ドレイン・ゲート間電圧 VGSS	Ta=25℃			±20	V
	ドレイン電流 ID	Ta=25℃, 直流			±0.2	A
	全損失PT	Ta=25℃			0.2	W
	接合部温度 Tj				150	℃
諸 特 性	ドレイン遮断電流 IDSS	VDS=60V, VGS=0V			1	μA
	ゲート・カットオフ電圧 VGS(off)	VDS=5V, ID=1μA	0.8	1.2	1.8	V
	ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON)	VGS=4V, ID=10mA		3.2	6.0	Ω
		VGS=10V, ID=10mA		2.4	3.0
	入力容量 Ciss	VDS=5V, f=1MHz		26		pF
	ターン・オン時間 ton	VGS=5V, ID=10mA		50		ns
	ターン・オフ時間 ton	VGS=5V, ID=10mA		200		ns
Nchセミパワー：2SK2961 (TO-92ロング)
絶 対 最 大 定 格	ドレイン・ソース間電圧 VDSS	Ta=25℃			60	V
	ドレイン・ゲート間電圧 VGSS	Ta=25℃			±20	V
	ドレイン電流 ID	Ta=25℃, 直流			2	A
	許容損失PD	Ta=25℃			0.9	W
	接合部温度 Tj				150	℃
諸 特 性	ドレイン遮断電流 IDSS	VDS=60V, VGS=0V			100	μA
	ゲート閾値電圧 Vth	VDS=10V, ID=1mA	0.8		2.0	V
	ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON)	VGS=4V, ID=1A		0.26	0.38	Ω
		VGS=10V, ID=1A		0.20	0.27
	入力容量 Ciss	VDS=10V, f=1MHz		170		pF
	トータル・ゲート入力電荷量 Qig	VGS=10V, ID=2A		5.8		nC
	ターン・オン時間 ton	VGS=10V, ID=1A		15		ns
	ターン・オフ時間 ton	VGS=10V, ID=1A		170		ns
Nchパワー：2SK2232 (TO-220絶縁)
絶 対 最 大 定 格	ドレイン・ソース間電圧 VDSS	Ta=25℃			60	V
	ドレイン・ゲート間電圧 VGSS	Ta=25℃			±20	V
	ドレイン電流 ID	Ta=25℃, 直流			25	A
	許容損失PD	Ta=25℃			2	W
		Tc=25℃			35
	接合部温度 Tj				150	℃
諸 特 性	ドレイン遮断電流 IDSS	VDS=60V, VGS=0V			100	μA
	ゲート閾値電圧 Vth	VDS=10V, ID=1mA	0.8		2.0	V
	ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON)	VGS=4V, ID=12A		0.057	0.080	Ω
		VGS=10V, ID=12A		0.036	0.046
	入力容量 Ciss	VDS=10V, f=1MHz		1000		pF
	トータル・ゲート入力電荷量 Qig	VGS=10V, ID=25A		38		nC
	ターン・オン時間 ton	VGS=10V, ID=12A		30		ns
	ターン・オフ時間 ton	VGS=10V, ID=12A		130		ns

【ダイオード】

　

【ロジックＩＣ】

　

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おもな更新履歴
2011/04/23　設計メモからページ分割