MOVPE法によるSi基板上平坦GaP成長
岡本、渡邉、増田、野田、福田、福家、高野
第55回応用物理学関係連合講演会(2008.3)
MOVPE法を用いたSi基板上GaP初期成長
渡邉,守留,福家,高野
第54回応用物理学関係連合講演会(2007.3)
MOVPE法を用いたSi基板上GaP成長
渡邉,守留,福家,高野
第54回応用物理学学術講演会(2006.8)
MOCVD法によるGaAs基板上へのInGaAs、InAsの低温成長
梅澤昌義、小林佳津、福家俊郎、高野泰
第51回応用物理学会学術講演会(2004.3)
GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長
岩瀬隆幸、福家俊郎、高野泰
第63回応用物理学会学術講演会(2004.3)
MOCVD法を用いて低温で成長させたGaAs基板上のInGaAs
小林佳津、桑原憲弘、白方祥、福家俊郎、高野泰
第63回応用物理学会学術講演会(2002.9)
Growth temperature dependence of quality of InGaAs layers grown on GaAs susbtrates by metal-organic
chemical vapor deposition
K.Kobayashi, H.Iwahori, S.Shirakata, S.Fuke, and Y.Takano
Extended abstracts of the 21th electronic materials symposium(Nara)
MOCVD法によるGaAs基板上InGaAs層の低温成長
岩堀英哲、小林佳津、黒柳直人、桑原憲弘、福家俊郎、高野泰
電子通信情報学会電子材料研究会(2002.5)
InGaAsグレーデッド歪み層を挿入したSi基板上GaAs成長
小林知存、岩堀英哲、久留利智穂、桑原憲弘、福家俊郎、高野泰
49回応用物理学会学術講演会(2002.3)
Si基板上GaAs層の残留歪み及び貫通転位密度におけるInドープの効果
小林知存、久留利智穂、桑原憲弘、福家俊郎、高野泰
62回応用物理学会学術講演会(2001.9)
オフGaAs基板上へのMOCVD法によるInGaAs成長
小林佳津、増田雅子、桑原憲弘、福家俊郎、高野泰
62回応用物理学会学術講演会(2001.9)
MOCVD法によるSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度軽減
小林知存、久留利智穂、浦西泰樹、桑原憲弘、福家俊郎、高野泰
電子通信情報学会電子材料研究会(2001.5)
Epitaxial growth of InGaAs on misoriented GaAs(100) substrate by metal-organic vapor phase epitaxy
Y.Takano, M.Masuda, K.Kobayashi, K.Kuwahara, S.Fuke, S.Shirakata
The thirteenth international conference on crystal growth, 2001, Doshisha University, Kyoto, Japan(2001.8)
Estimation of residual strain and threading dislocation density of In-doped
GaAs layers on Si substrate
K.Kobayashi, T.Uranishi, T.Kururi, S.Fuke, and Y.Takano
Extended abstracts of the 20th electronic materials symposium(Nara)
MOCVD法によるSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度軽減
小林知存、久留利智穂、浦西泰樹、桑原憲弘、福家俊郎、高野泰
電子通信情報学会電子材料研究会(2001.5)
MOCVDによるGaAs/Si上のInGaAs成長
Growth of InGaAs on GaAs/Si by MOCVD
浦西泰樹、小林知存、桑原憲弘、福家俊郎、高野泰
第48回応用物理学関係連合講演会 29aG10(2001.3)
MOCVD法によるSi基板上GaAs結晶成長
高野 泰、福家俊郎
電子情報通信学会2000年ソサイエテ
ィ大会シンポジウム講演 SC-7-3.
異なるオフ方向を有するGaAs基板上へのMOCVD法によるInGaAs成長
増田雅子、桑原憲弘、福家俊郎、高野泰
第61回応用物理学会学術講演会 3pZA9
MOCVD成長させたSi基板上GaAsのInドープによる貫通転位密度低減
浦西泰樹、久留利智穂、小林知存、桑原憲弘、福家俊郎、高野泰
第61回応用物理学会学術講演会 5pZA17
Reduction of threading dislocation density of GaAs on Si by doping In
Taiju Uranishi, Tomho Kururi, Yasushi Takano, Shunro Fuke
Extended Abstract of the 19th Electronic Symposium Izu-Nagaoka, (2000) p.81.
MOCVD法によるGaAsオフ基板上へのGaAs成長
M. Masuda, K. Kuwahara, S.Fuke and Y. Takano
電子通信情報学会電子材料研究会(2000.5.19)
GaAs-off基板上へのMOCVD法によるInGaAs成長
M. Masuda, K. Kuwahara, M. Sumiya, S.Fuke and Y. Takano
第47回応用物理学関係連合講演会(2000.3)
Si基板上GaAsのInドープによる熱歪みの抑制
久留利智穂、日坂誠、桑原憲弘、角谷正友、福家俊郎、高野泰
第60回応用物理学学術講演会(1999.9)
MOCVD法によるInGaAs/GaAs成長におけるオーバーシュートの効果
西村元気、桑原憲弘、角谷正友、福家俊郎、高野泰
第60回応用物理学学術講演会(1999.9)
Si基板上GaAsのInドープによる貫通転位の減少
久留利智穂、日坂誠、桑原憲弘、角谷正友、福家俊郎、高野泰
第46回応用物理学関係連合講演会(1999.3)
MOCVD法によるGaAs基板上グレーデッドInGaAs成長
白川泰史、西村元気、桑原憲弘、角谷正友、福家俊郎、高野泰
第46回応用物理学関係連合講演会(1999.3)
MOCVD法によるSi基板上GaAs層上へのクラックフリーInGaAs成長
白川泰史、日坂誠、桑原憲弘、角谷正友、福家俊郎、高野泰
第59回応用物理学学術講演会(1998.9)
InGaAs層を挿入したSi基板上GaAsの貫通転位密度
日坂誠、藤井信行、桑原憲弘、角谷正友、福家俊郎、高野泰
第45回応用物理学関係連合講演会(1998.3)