GaAs
	InGaAs
	GaAs
	Si substrate

左の写真は通常の方法で作製したもの。右の写真は単一歪層を挿入したもの でこの写真の中には転位は見つかりません。

MOCVDで作製したSi基板上GaAsです。InGaAs層を使用することで転位密度を
一平方センチメートルあたり百万個にまで減少させることができました。
方法がシンプルなのがセールスポイントです。
MOCVD法ではトップレベルです。未知の世界に向かって挑戦中です.

参考文献　Y.Takano, M.Hisaka, N.Fujii, K.Suzuki, K.Kuwahara, S.Fuke, Appl. Phys. Lett. 73(1998)2917.

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