Operation and Modeling of The MOS Transistor

Y. Tsivis

内容的には全部知っている、ハズ、である。
とは言っても、知らないこともあるわけで。とりあえず、ここらでこの本を読
むことで、自分の中でまとめたいのだ。

この本をレファレンスとして終らせることで、足場として凍結したいのだ。

と言っても、やっぱり、知っていることを、英語で、ジワジワ読むのは、疲れる。
サクっと読む、とか言っても渋滞するのは目に見えてるので、まず最初の3章
に限る。ストーリー的には、4章までの方がきれいなのだが、4章まで読むと
200ページに到達してしまうので、3章まで、120ページを第一目標とする。

式展開は、ポストイットにして貼りまくっとく。レファレンスにするつもりだ
からな。

1章 Semiconductors, Junctions, and MOSFET Overview

ダルダルである。読み返してみると非常にコンパクトにまとまっていることが
わかるわけだが。オーバービューは、相手が知らないことなら楽しいのだが、
相手をそれなりに知っているので、亀の歩みが憎らしい。
あまり認識してなかったのだが、この本では、バンドを使った議論はしないん
だ(Appendix行き)。バンド系の議論を補完しなきゃならんか。

2章 two Terminal

いやーいろいろ勉強になる。ゲートがオンして、チャネルができて、って、あ
らためて定量的に説明されると目からウロコ的。どうも拡散側の議論はおろそ
かになりやすいので、こうして説明されると非常にすっきり。

3章 three Terminal

3ターミナルって DGSのことだと読む前は思っていたが、SGBのことだった。な
るほど、その気持はわかる。基盤効果とピンチオフあたりがゴール。

ただ、Sourceというか、Drainというか、が付いたことによる2章からの変更点
は、単に2Phi_Fを2Phi_F+Vcbにするだけ、というのは、ちょっと直感的すぎる。
まずDrain端のポテンシャル曲りを無視している。weak invでは、そもそもチャ
ネルとDrainが切れるが、その場合の状況もいま一つピンと来ない。2章がかな
り緻密だったのに比べるとラフ。

この章を読み終えてから次の本を読むつもりだったが、あと5ページほどで終
了の所で、微分形式だの、コホモロジーだのに夢中になる。
ということで、やっと読み終った。2003/12/16

4章 four Terminal

SDが付いて電流が流れる。一般解から近似解を導いてくるあたり、非常に明解。
なるほど、よくある2次式近似は、SD両端が強反転であることを暗に仮定して
いたのか。
後半は、移動度モデルの説明も。かなりいたれり尽せり。

6章 small dimension effect

とある事情があって、5章は後回し。
やはりというべきか。4章までの抜かりのなさに比べると直感的議論多し。
それを見越して、読んでる私も猛スピード。

5章

もどってくる。スピードは落さない。

これで、前半戦は終ったことになる。10章はどうでもいいので、7,8,9章。7章
はとりあえず簡単そうだし、短いし、重要そうなことは含まれてそうなので、
まず7章は片付けたい。というところで疲れ果てた。